vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SJ528
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SJ528

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 400pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.24 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6787 MOSFETN-Channel20W60V 6A70/70nS600pF0.03 ОмTO-205AF
    2N6787-SM MOSFETN-Channel20W60V 6A--1.8 ОмTO220SM
    2N6787LCC4 MOSFETN-Channel20W60V 6A--1.8 ОмLCC4
    BUK9775-55 MOSFETN-Channel19W55V 7A 0.075 ОмSOT186A
    IRFF024 MOSFETN-Channel20W60V 8A14/37nS640pF0.17 ОмTO39
    IRFF9024 MOSFETP-Channel20W60V 6.4A20/23nS570pF0.29 ОмTO39
    IRFR014A MOSFETN-Channel18W60V 8.2A17nS280pF0.14 ОмDPAK
    IRFSZ14A MOSFETN-Channel19W60V 8A17nS280pF0.14 ОмTO-220F
    IRLR014A MOSFETN-Channel18W60V 8.2A10nS265pF0.155 ОмDPAK
    IRLSZ14A MOSFETN-Channel20W60V 8A10nS265pF0.155 ОмTO-220F
    SSR3055A MOSFETN-Channel18W60V 8A17nS280pF0.15 ОмDPAK
    SSR3055LA MOSFETN-Channel18W60V 8A10nS265pF0.165 ОмDPAK
    Яндекс.Метрика