vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM12N50A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM12N50A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.4 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRE460D MOSFETN-Channel 500V 12A 0.410 ОмN/A
    FRE460H MOSFETN-Channel 500V 12A 0.410 ОмN/A
    FRE460R MOSFETN-Channel 500V 12A 0.410 ОмN/A
    FRM450D MOSFETN-Channel 500V 10A 0.600 ОмN/A
    FRM450H MOSFETN-Channel 500V 10A 0.600 ОмN/A
    FRM450R MOSFETN-Channel 500V 10A 0.600 ОмN/A
    IXFH13N50 MOSFETN-Channel 500V 13A 0.4 ОмTO247
    IXFJ13N50 MOSFETN-Channel 500V 13A 0.4 ОмTO268
    IXFM13N50 MOSFETN-Channel 500V 13A 0.4 ОмTO268
    IXTH12N50A MOSFETN-Channel 500V 12A 0.4 ОмTO247
    Яндекс.Метрика