vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM35N30
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM35N30

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.1 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRK264D MOSFETN-Channel 250V 34A 0.120 ОмN/A
    FRK264H MOSFETN-Channel 250V 34A 0.120 ОмN/A
    FRK264R MOSFETN-Channel 250V 34A 0.120 ОмN/A
    FSJ264D MOSFETN-Channel 250V 33A 0.080 ОмTO254AA
    FSJ264R MOSFETN-Channel 250V 33A 0.080 ОмTO254AA
    IXFH35N30 MOSFETN-Channel 300V 35A 0.1 ОмTO247
    IXFH40N30 MOSFETN-Channel 300V 40A 0.085 ОмTO247
    IXFH40N30Q MOSFETN-Channel 300V 40A 0.085 ОмTO247
    IXFJ40N30 MOSFETN-Channel 300V 40A 0.085 ОмTO268
    IXFM35N30 MOSFETN-Channel 300V 35A 0.1 ОмTO268
    IXFM40N30 MOSFETN-Channel 300V 40A 0.088 ОмTO268
    IXFT40N30Q MOSFETN-Channel 300V 40A 0.085 ОмTO268
    IXTH35N30 MOSFETN-Channel 300V 35A 0.1 ОмTO247
    IXTH40N30 MOSFETN-Channel 300V 40A 0.085 ОмTO247
    IXTM40N30 MOSFETN-Channel 300V 40A 0.088 ОмTO204
    Яндекс.Метрика