vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM6N80A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM6N80A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFH6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.80 ОмTO247
    IXFH7N80 MOSFETN-Channel 800V 7A 1.4 ОмTO247
    IXFH7N90 MOSFETN-Channel 900V 7A 1.50 ОмTO247
    IXFM6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.80 ОмTO268
    IXFM7N80 MOSFETN-Channel 800V 7A 1.4 ОмTO268
    IXFT7N90 MOSFETN-Channel 900V 7A 1.50 ОмTO268
    IXTH6N80 MOSFETN-Channel 800V 6A 1.8 ОмTO247
    IXTH6N80A MOSFETN-Channel 800V 6A 1.4 ОмTO247
    IXTH6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.8 ОмTO247
    IXTH6N90A MOSFETN-Channel 900V 6A 1.4 ОмTO247
    IXTM6N80 MOSFETN-Channel 800V 6A 1.8 ОмTO204
    IXTM6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.8 ОмTO204
    IXTM6N90A MOSFETN-Channel 900V 6A 1.4 ОмTO204
    Яндекс.Метрика