Справка

Основные параметры полевого транзистора IXTZ35N25MB

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 250V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.1 Ом
  
• Производитель: IXYS
  
• Тип корпуса: Z-PAK
• Найти datasheet