|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора MTP3N50EОсновные параметры полевого транзистора MTP3N50E - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 50V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 50A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 14/20
- Входная емкость (Сiss): 435pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
- Производитель: MOTOROLA
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSTH65N06FI |
MOSFET | N-Channel | 65W | 60V | 60V | 20V | 45A | 100/750 | 2900 | 0.020 Ом | ISOWATT218 | STH75N06FI |
MOSFET | N-Channel | 80W | 60V | 60V | 20V | 55A | 270/1300 | 5200 | 0.014 Ом | ISOWATT218 | STH80N05FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 50V | 50V | 20V | 60A | 270/1300 | 5200 | 0.012 Ом | ISOWATT218 | |
|
|
|