vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора MTP3N50E
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора MTP3N50E

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 50V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 50A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 14/20
    • Входная емкость (Сiss): 435pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
    • Производитель: MOTOROLA
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STH65N06FI MOSFETN-Channel65W60V60V20V45A100/75029000.020 ОмISOWATT218
    STH75N06FI MOSFETN-Channel80W60V60V20V55A270/130052000.014 ОмISOWATT218
    STH80N05FI MOSFETN-Channel70W50V50V20V60A270/130052000.012 ОмISOWATT218
    Яндекс.Метрика