|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора MTP3N60FIОсновные параметры полевого транзистора MTP3N60FI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 60/42
- Входная емкость (Сiss): 800
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.500 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOWATT220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRC420 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 500V | 500V | 20V | 2.5A | | 960pF | 3 Ом | TO-204 | IRC820 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 500V | 500V | 20V | 2.5A | | 920pF | 3 Ом | TO-220 | IRF820FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 500V | 500V | 20V | 2.2A | 45/110 | 460 | 3.000 Ом | ISOWATT220 | |
|
|
|