vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDC632P
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора NDC632P

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.6W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.14 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: SuperSOT-6
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ517 MOSFETP-Channel1W20V ±10V2A 320pF0.27 ОмUPAK
    2SK2978 MOSFETN-Channel1W20V ±10V2.5A 260pF0.12 ОмUPAK
    FDC636P MOSFETP-Channel1.6W20V 2.8A 0.13 ОмSuperSOT-6
    HAT1031T MOSFETP-Channel1W20V ±10V2.5A 390pF0.21 ОмSOP-8
    Si3812DV FETN-Channel1.15W20V 2.4A2.1nS 0.125 ОмTSOP-6
    Яндекс.Метрика