|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDH831NОсновные параметры полевого транзистора NDH831N - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.8W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.03 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SUPERSOT-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDC637AN |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 20V | | | 6.2A | 10.5nS | | 0.026 Ом | SuperSOT-6 | FDC638P |
MOSFET | P-Channel | 1.6W | 20V | | | 4.5A | | | 0.045 Ом | SuperSOT-6 | FDC640P |
MOSFET | P-Channel | 1.6W | 20V | | | 4.5A | | | 0.05 Ом | SuperSOT-6 | FDR836P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 20V | | | 6.1A | | | 0.03 Ом | SUPERSOT-8 | HAT1041T |
MOSFET | P-Channel | 1.3W | 20V | | ±12V | 6A | 170mS | 1850pF | | TSSSOP-8 | NDC631N |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 20V | | | 4.1A | | | 0.06 Ом | SuperSOT-6 | NDH832P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 20V | | | 4.2A | | | 0.06 Ом | SUPERSOT-8 | NDH834P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 20V | | | 5.6A | | | 0.035 Ом | SUPERSOT-8 | |
|
|
|