Основные параметры полевого транзистора 2SK1000

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 22V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 22V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 50mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 28mS
Производитель: NEC
Тип корпуса: SST
Найти datasheet