|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDH833NОсновные параметры полевого транзистора NDH833N - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.8W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.1A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.02 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SUPERSOT-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDC637AN |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 20V | | | 6.2A | 10.5nS | | 0.026 Ом | SuperSOT-6 | FDR836P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 20V | | | 6.1A | | | 0.03 Ом | SUPERSOT-8 | FDR838P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 20V | | | 8A | | | 0.017 Ом | SUPERSOT-8 | HAT1041T |
MOSFET | P-Channel | 1.3W | 20V | | ±12V | 6A | 170mS | 1850pF | | TSSSOP-8 | |
|
|
|