Справка

Основные параметры полевого транзистора 2SK1006-01MR

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 450V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.6 Ом
  
• Производитель: FUJI
  
• Тип корпуса: TO-220F15
• Найти datasheet