vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDP6050L
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора NDP6050L

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 48A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.02 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1192 MOSFETN-Channel90W60V 40A 2500pF0.028 ОмFM100
    2SK2955 MOSFETN-Channel100W60V ±20V45A 200pF0.015 ОмTO-3P
    F5026 MOSFETN-Channel85W40V 52A 0.02 ОмTO-220AB
    F5027 MOSFETN-Channel85W40V 52A 0.02 ОмT-pack
    IRFN054 MOSFETN-Channel100W60V 45A33/100nS4600pF0.031 ОмTO220SM
    NDB6050 MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.025 ОмTO-263
    NDB6050L MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.02 ОмTO-263
    NDB6051 MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.022 ОмTO-263
    NDB6051L MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.018 ОмTO-263
    NDB6060 MOSFETN-Channel100W60V 48A 0.025 ОмTO-263
    NDB6060L MOSFETN-Channel100W60V 48A 0.02 ОмTO-263
    NDP6050 MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.025 ОмTO-220
    NDP6051 MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.022 ОмTO-220
    NDP6051L MOSFETN-Channel100W50V 48A 0.018 ОмTO-220
    NDP6060 MOSFETN-Channel100W60V 48A 0.025 ОмTO-220
    NDP6060L MOSFETN-Channel100W60V 48A 0.02 ОмTO-220
    STV40N05 MOSFETN-Channel120W50V 40A 0.035 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика