Основные параметры полевого транзистора 2SK1013-01

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 450V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
Производитель: FUJI
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet