|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDS332PОсновные параметры полевого транзистора NDS332P - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.5W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SuperSOT-3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDC6306P |
MOSFET | P-Channel | 0.9W | 20V | | | 1.9A | | | 0.17 Ом | SuperSOT-6 | FDC6308P |
MOSFET | P-Channel | 0.9W | 20V | | | 1.7A | | | 0.18 Ом | SuperSOT-6 | FDG311N |
MOSFET | N-Channel | 0.48W | 20V | | | 1.9A | | | 0.105 Ом | SC70-6 | FDG312P |
MOSFET | P-Channel | 0.48W | 20V | | | 1.2A | | | 0.18 Ом | SC70-6 | FDN335N |
MOSFET | N-Channel | 0.5W | 20V | | | 1.7A | | | 0.070 Ом | SuperSOT-3 | FDN336P |
MOSFET | P-Channel | 0.5W | 20V | | | 1.3A | | | 0.2 Ом | SuperSOT-3 | FDN338P |
MOSFET | P-Channel | 0.5W | 20V | | | 1.6A | | | 0.13 Ом | SuperSOT-3 | |
|
|
|