vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDS332P
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора NDS332P

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.5W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: SuperSOT-3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDC6306P MOSFETP-Channel0.9W20V 1.9A 0.17 ОмSuperSOT-6
    FDC6308P MOSFETP-Channel0.9W20V 1.7A 0.18 ОмSuperSOT-6
    FDG311N MOSFETN-Channel0.48W20V 1.9A 0.105 ОмSC70-6
    FDG312P MOSFETP-Channel0.48W20V 1.2A 0.18 ОмSC70-6
    FDN335N MOSFETN-Channel0.5W20V 1.7A 0.070 ОмSuperSOT-3
    FDN336P MOSFETP-Channel0.5W20V 1.3A 0.2 ОмSuperSOT-3
    FDN338P MOSFETP-Channel0.5W20V 1.6A 0.13 ОмSuperSOT-3
    Яндекс.Метрика