vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDS352AP
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора NDS352AP

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.5W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: SuperSOT-3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ204 MOSFETP-Channel0.2W30V ±0.2A 8.8 ОмSC-59
    2SJ243 MOSFETP-Channel0.2W30V ±100mA 55 ОмSOT23
    2SJ463 MOSFETP-Channel0.15W30V ±100mA 30 ОмSC-70
    2SK1482 MOSFETN-Channel0.75W30V ±1.5A 0.19 ОмTO-92
    2SK1582 MOSFETN-Channel0.2W30V 0.2A 2.2 ОмSC-59
    2SK1824 MOSFETN-Channel0.2W30V 0.1A 7 ОмSOT23
    2SK679A MOSFETN-Channel0.75W30V ±0.5A 0.6 ОмTO-92
    FDC6301N MOSFETN-Channel0.9W25V 0.22A 4 ОмSuperSOT-6
    FDC6302P MOSFETP-Channel0.9W25V 0.12A 10 ОмSuperSOT-6
    FDC6303N MOSFETN-Channel0.9W25V 0.68A 0.45 ОмSuperSOT-6
    FDC6304P MOSFETP-Channel0.9W25V 0.46A 1.1 ОмSuperSOT-6
    FDG313N MOSFETN-Channel0.48W25V 0.95A 0.45 ОмSC70-6
    FDG314P MOSFETP-Channel0.48W25V 0.65A 1.1 ОмSC70-6
    FDG6301N MOSFETN-Channel0.3W25V 0.22A 4 ОмSC70-6
    FDG6302P MOSFETP-Channel0.3W25V 0.14A 10 ОмSC70-6
    FDG6303N MOSFETN-Channel0.3W25V 0.5A 0.45 ОмSC70-6
    FDG6304P MOSFETP-Channel0.3W25V 0.41A 1.1 ОмSC70-6
    Яндекс.Метрика