|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDS9959Основные параметры полевого транзистора NDS9959 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SO8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFM014A |
MOSFET | N-Channel | 2.1W | 60V | | | 2.8A | 17nS | 280pF | 0.14 Ом | SOT-223 | IRLM014A |
MOSFET | N-Channel | 2.1W | 60V | | | 2.8A | 10nS | 265pF | 0.155 Ом | SOT-223 | NDS9948 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 60V | | | 2.3A | | | 0.25 Ом | SO8 | NDS9957 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 60V | | | 2.6A | | | 0.16 Ом | SO8 | |
|
|
|