Основные параметры полевого транзистора 2SK1109

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 10mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 0.48mS
Производитель: NEC
Тип корпуса: SO6
Найти datasheet