Справка

Основные параметры полевого транзистора PHB6N50E

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
  
• Производитель: PHILIPS
  
• Тип корпуса: SOT404
• Найти datasheet