|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHP3N50EОсновные параметры полевого транзистора PHP3N50E - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 83W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3 Ом
- Производитель: PHILIPS
- Тип корпуса: SOT78
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусPHB3N50E |
MOSFET | N-Channel | 83W | 500V | | | 1.7A | | | 3 Ом | SOT404 | PHB3N60E |
MOSFET | N-Channel | 83W | 600V | | | 1.4A | | | 4.4 Ом | SOT404 | PHP3N60E |
MOSFET | N-Channel | 83W | 600V | | | 1.4A | | | 4.4 Ом | SOT78 | |
|
|
|