|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHW20N50EОсновные параметры полевого транзистора PHW20N50E - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.27 Ом
- Производитель: PHILIPS
- Тип корпуса: SOT429
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSML6070BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 600V | | | 12A | 25/77nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO247 | |
|
|
|