vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHW8N50E
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора PHW8N50E

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 147W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
    • Производитель: PHILIPS
    • Тип корпуса: SOT429
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    PHB8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHB8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHB9N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.85 ОмSOT404
    PHP10N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.75 ОмSOT78
    PHP8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHP8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHW8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT429
    PHW9N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.85 ОмSOT429
    Яндекс.Метрика