Основные параметры полевого транзистора PMBFJ111

Структура (технология): FET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 350mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 20mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 13/35nS
Входная емкость (Сiss): 3pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 30 Ом
Производитель: PHILIPS
Тип корпуса: SOT23
Найти datasheet