Основные параметры полевого транзистора PMBFJ112

Структура (технология): FET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 350mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 50V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 5mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 35nS
Входная емкость (Сiss): 13pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3 Ом
Производитель: PHILIPS
Тип корпуса: SOT23
Найти datasheet