Справка

Основные параметры полевого транзистора RF1S4N100SM

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.3A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3.500 Ом
  
• Производитель: INTERSIL
  
• Тип корпуса: N/A
• Найти datasheet