vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RF1S530SM
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RF1S530SM

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 14A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.160 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRM130D MOSFETN-Channel 100V 14A 0.180 ОмN/A
    FRM130H MOSFETN-Channel 100V 14A 0.180 ОмN/A
    FRM130R MOSFETN-Channel 100V 14A 0.180 ОмN/A
    FRS130D MOSFETN-Channel 100V 12A 0.195 ОмN/A
    FRS130H MOSFETN-Channel 100V 12A 0.195 ОмN/A
    FRS130R MOSFETN-Channel 100V 12A 0.195 ОмN/A
    IRF9530 MOSFETP-Channel 100V 12A 0.300 ОмN/A
    RF1S9530SM MOSFETP-Channel 100V 12A 0.300 ОмN/A
    RFP12N10L MOSFETN-Channel 100V 12A 0.200 ОмN/A
    RFP12P08 MOSFETP-Channel 80V 12A 0.300 ОмN/A
    RFP12P10 MOSFETP-Channel 80V 12A 0.300 ОмN/A
    RFP15N08L MOSFETN-Channel 80V 15A 0.140 ОмN/A
    Яндекс.Метрика