vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RF1S60P03SM
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RF1S60P03SM

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 60A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.027 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    HPLR3103 MOSFETN-Channel 30V 52A 0.019 ОмN/A
    HPLU3103 MOSFETN-Channel 30V 52A 0.019 ОмN/A
    HUF76129P3 MOSFETN-Channel 30V 56A 0.016 ОмN/A
    HUF76129S3S MOSFETN-Channel 30V 56A 0.016 ОмN/A
    RF1S70N03SM MOSFETN-Channel 30V 70A 0.010 ОмN/A
    RFG60P03 MOSFETP-Channel 30V 60A 0.027 ОмN/A
    RFP60P03 MOSFETP-Channel 30V 60A 0.027 ОмN/A
    RFP70N03 MOSFETN-Channel 30V 70A 0.010 ОмN/A
    Яндекс.Метрика