vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RF1S640SM
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RF1S640SM

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.180 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRE9260D MOSFETP-Channel 200V 19A 0.210 ОмN/A
    FRE9260H MOSFETP-Channel 200V 19A 0.210 ОмN/A
    FRE9260R MOSFETP-Channel 200V 19A 0.210 ОмN/A
    FRM240D MOSFETN-Channel 200V 16A 0.24 ОмN/A
    FRM240H MOSFETN-Channel 200V 16A 0.24 ОмN/A
    FRM240R MOSFETN-Channel 200V 16A 0.24 ОмN/A
    FRM9250D MOSFETP-Channel 200V 16A 0.300 ОмN/A
    FRM9250H MOSFETP-Channel 200V 16A 0.300 ОмN/A
    FRM9250R MOSFETP-Channel 200V 16A 0.300 ОмN/A
    FSF9250D MOSFETP-Channel 200V 15A 0.290 ОмTO254AA
    FSF9250R MOSFETP-Channel 200V 15A 0.290 ОмTO254AA
    JANSR2N7404 MOSFETP-Channel 200V 15A 0.290 ОмN/A
    Яндекс.Метрика