Основные параметры полевого транзистора RFD12N06RLESM

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 60V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): -5...+10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 12/24 nS
Входная емкость (Сiss): -
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.135 Ом
Производитель: INTERSIL
Тип корпуса: TO-252AA
Найти datasheet