vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RFD8P05
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RFD8P05

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.300 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    RFD8P05SM MOSFETP-Channel 50V 8A 0.300 ОмN/A
    RFD8P06E MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    RFD8P06ESM MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    RFD8P06LE MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    RFD8P06LESM MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    RFP8P05 MOSFETP-Channel 50V 8A 0.300 ОмN/A
    RFP8P06E MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    RFP8P06LE MOSFETP-Channel 60V 8A 0.300 ОмN/A
    Яндекс.Метрика