vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RFP3055LE
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RFP3055LE

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.150 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    HUF76407D3 MOSFETN-Channel 60V 11A 0.107 ОмN/A
    HUF76407D3S MOSFETN-Channel 60V 11A 0.107 ОмN/A
    HUF76407P3 MOSFETN-Channel 60V 11A 0.107 ОмN/A
    RFD14N05 MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD14N05L MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD14N05LSM MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD14N05SM MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD14N06L MOSFETN-Channel 60V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD14N06LSM MOSFETN-Channel 60V 14A 0.100 ОмN/A
    RFD3055 MOSFETN-Channel 60V 12A 0.150 ОмN/A
    RFD3055LE MOSFETN-Channel 60V 12A 0.150 ОмN/A
    RFD3055LESM MOSFETN-Channel 60V 12A 0.150 ОмN/A
    RFD3055SM MOSFETN-Channel 60V 12A 0.150 ОмN/A
    RFP14N05 MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFP14N05L MOSFETN-Channel 50V 14A 0.100 ОмN/A
    RFP14N06 MOSFETN-Channel 60V 14A 0.100 ОмN/A
    RFP14N06L MOSFETN-Channel 60V 14A 0.100 ОмN/A
    RFP3055 MOSFETN-Channel 60V 12A 0.150 ОмN/A
    Яндекс.Метрика