vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RFP30P06
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RFP30P06

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 30A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.065 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    HUF76419P3 MOSFETN-Channel 60V 27A 0.040 ОмN/A
    HUF76419S3S MOSFETN-Channel 60V 27A 0.040 ОмN/A
    HUF76423P3 MOSFETN-Channel 60V 33A 0.035 ОмN/A
    HUF76423S3S MOSFETN-Channel 60V 33A 0.035 ОмN/A
    RF1S25N06SM MOSFETN-Channel 60V 25A 0.047 ОмN/A
    RF1S30N06LESM MOSFETN-Channel 60V 30A 0.047 ОмN/A
    RF1S30P05SM MOSFETP-Channel 50V 30A 0.065 ОмN/A
    RF1S30P06SM MOSFETP-Channel 60V 30A 0.065 ОмN/A
    RFF60P06 MOSFETP-Channel 60V 25A 0.030 ОмN/A
    RFF70N06 MOSFETN-Channel 60V 25A 0.025 ОмN/A
    RFG30P05 MOSFETP-Channel 50V 30A 0.065 ОмN/A
    RFG30P06 MOSFETP-Channel 60V 30A 0.065 ОмN/A
    RFP25N05 MOSFETN-Channel 50V 25A 0.047 ОмN/A
    RFP25N05L MOSFETN-Channel 50V 25A 0.047 ОмN/A
    RFP25N06 MOSFETN-Channel 60V 25A 0.047 ОмN/A
    RFP30N06LE MOSFETN-Channel 60V 30A 0.047 ОмN/A
    RFP30P05 MOSFETP-Channel 50V 30A 0.065 ОмN/A
    Яндекс.Метрика