|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF75NA20GBNОсновные параметры полевого транзистора SDF75NA20GBN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 450W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 75A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.035 Ом
- Производитель: SOLITRON
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT20M26WVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 200V | | | 65A | 290nS | 8500 | 0.026 Ом | SMD4 | APT20M38BVFR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 200V | | | 67A | 240nS | 4500 | 0.038 Ом | N/A | APT20M38BVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 200V | | | 67A | | 5100 | 0.038 Ом | N/A | APT20M38SVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 200V | | | 67A | | 5100 | 0.038 Ом | N/A | SML20B67 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 200V | | | 67A | 14/50nS | 4500pF | 0.038 Ом | TO-247 | SML20S67 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 200V | | | 67A | 14/50nS | 4500pF | 0.038 Ом | D3PAK | SML20T75 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 200V | | | 75A | 16/48nS | 8500pF | 0.022 Ом | TO-247 | |
|
|
|