|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1004R2BNОсновные параметры полевого транзистора SML1004R2BN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 23/50nS
- Входная емкость (Сiss): 950pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.2 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC43 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 1000V | | | 4.4A | - | 805pF | 4.00 Ом | TO247 | SDF4NA100 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 1000V | | | 4.4A | | | 4 Ом | N/A | SDF4NA100SXH |
MOSFET | N-Channel | 150W | 1000V | | | 4.4A | | | 4 Ом | N/A | SML1004RBN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 1000V | | | 4.4A | 23/50nS | 950pF | 4 Ом | TO247 | SML802R8AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 4.5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO3 | |
|
|
|