|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML100W18Основные параметры полевого транзистора SML100W18 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 400W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 17.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 16/59nS
- Входная емкость (Сiss): 6600pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.57 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO-267
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT10050JVFR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | 300nS | 5500 | 0.500 Ом | N/A | APT10050JVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | | 6600 | 0.500 Ом | N/A | APT10057WVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 17.3A | 335nS | 6600 | 0.57 Ом | SMD4 | APT12080JVR |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1200V | | | 15A | | 6500 | 0.800 Ом | N/A | APT8056BVFR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 800V | | | 16A | 250nS | 3700 | 0.560 Ом | N/A | APT8056BVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 800V | | | 16A | | 3700 | 0.560 Ом | N/A | SML100J19 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1000V | | | 19A | 16/59nS | 6600pF | 0.5 Ом | SOT-227 | SML120J15 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 1200V | | | 15A | 16/59nS | 6600pF | 0.8 Ом | SOT-227 | SML80B16 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 800V | | | 16A | 12/43nS | 3700pF | 0.56 Ом | TO-247 | |
|
|
|