vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH20N50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH20N50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7101 MOSFETN-channel150W400V 24A 4000pF0.2 ОмTO-210
    2N7102 MOSFETN-channel150W500V 20A 4000pF0.3 ОмTO-210
    SSH20N45 MOSFETN-Channel150W450V 20A TO-3P
    SSH20N45A MOSFETN-Channel150W450V 20A TO-3P
    SSH20N50A MOSFETN-Channel150W500V 20A TO-3P
    STW16N40 MOSFETN-Channel180W400V 16A 0.300 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика