vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH3N70
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH3N70

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFBC32 MOSFETN-Channel74W600V 3.2A34/74nS TO-220
    SDFC30JAA MOSFETN-Channel75W600V 3.6A 2.2 ОмN/A
    SDFC30JAB MOSFETN-Channel75W600V 3.6A 2.2 ОмN/A
    SSF4N80AS MOSFETN-Channel85W800V 3.5A56nS880pF3 ОмTO-3PF
    SSH3N70A MOSFETN-Channel75W700V 3A TO-3P
    SSP3N70 MOSFETN-Channel75W700V 3A TO-220
    SSP3N70A MOSFETN-Channel75W700V 3A TO-220
    Яндекс.Метрика