|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSS2N90AОсновные параметры полевого транзистора SSS2N90A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 33nS
- Входная емкость (Сiss): 435pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 7 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220F
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUK444-800A |
MOSFET | N-Channel | 30W | 800V | | | 1A | | | 6 Ом | SOT186 | BUK444-800B |
MOSFET | N-Channel | 30W | 800V | | | 1A | | | 8 Ом | SOT186 | BUK446-1000B |
MOSFET | N-Channel | 30W | 1000V | | | 1.5A | | | 5 Ом | SOT186 | BUK446-800A |
MOSFET | N-Channel | 30W | 800V | | | 1.5A | | | 3 Ом | SOT186 | BUK446-800B |
MOSFET | N-Channel | 30W | 800V | | | 1.5A | | | 4 Ом | SOT186 | SSS2N80A |
MOSFET | N-Channel | 30W | 800V | | | 1.5A | 30nS | 425pF | 6 Ом | TO-220F | STP3N100XI |
MOSFET | N-Channel | 30W | 1000V | | | 1.6A | | | 6.000 Ом | ISOWATT221 | STP3N80XI |
MOSFET | N-Channel | 28W | 800V | | | 1.7A | | | 4.500 Ом | ISOWATT221 | |
|
|
|