vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSU1N50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSU1N50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    PHB2N50E MOSFETN-Channel50W500V 1A 5 ОмSOT404
    PHB2N60E MOSFETN-Channel50W600V 1.9A 6 1 ОмSOT404
    PHB3N40E MOSFETN-Channel50W400V 1.25A 3.5 ОмSOT404
    PHD2N50E MOSFETN-Channel50W500V 1A 5 ОмSOT428
    PHD2N60E MOSFETN-Channel50W600V 1.9A 6 1 ОмSOT428
    PHD3N40E MOSFETN-Channel50W400V 1.25A 3.5 ОмSOT428
    PHP2N50E MOSFETN-Channel50W500V 1A 5 ОмSOT78
    PHP2N60E MOSFETN-Channel50W600V 1.9A 6 1 ОмSOT78
    PHP3N40E MOSFETN-Channel50W400V 1.25A 3.5 ОмSOT78
    SDF1NA60JAA MOSFETN-Channel50W600V 1.5A 6 ОмN/A
    SDF1NA60JAB MOSFETN-Channel50W600V 1.5A 6 ОмN/A
    SDF1NA60JDA MOSFETN-Channel50W600V 1.5A 6 ОмN/A
    SSR1N50 MOSFETN-Channel50W500V 1.2A D-PAK
    SSR2N60A MOSFETN-Channel44W600V 1.8A21nS315pF5 ОмDPAK
    SSU2N60A MOSFETN-Channel44W600V 1.8A21nS315pF5 ОмIPAK
    STK2NA60 MOSFETN-Channel50W600V 1.9A 8.000 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика