vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STD15N06L-1
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STD15N06L-1

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 15V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
    • Время включения/выключения (Fr): 60/200nS
    • Входная емкость (Сiss): 950pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.100 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: IPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STD12N05L-1 MOSFETN-Channel45W50V50V15V12A80/260nS500pF0.150 ОмIPAK
    STD12N05LT4 MOSFETN-Channel45W50V50V15V12A80/260nS500pF0.150 ОмDPAK
    STD12N06L-1 MOSFETN-Channel45W60V60V15V12A80/260nS500pF0.150 ОмIPAK
    STD12N06LT4 MOSFETN-Channel45W60V60V15V12A80/260nS500pF0.150 ОмDPAK
    STD15N06LT4 MOSFETN-Channel50W60V60V15V15A60/200nS950pF0.100 ОмDPAK
    STD17N05L-1 MOSFETN-Channel55W50V50V15V17A90/50nS1000pF0.085 ОмIPAK
    STD17N05LT4 MOSFETN-Channel55W50V50V15V17A90/50nS1000pF0.085 ОмDPAK
    STD17N06L-1 MOSFETN-Channel55W60V60V15V17A30/800nS1000pF0.085 ОмIPAK
    STD17N06LT4 MOSFETN-Channel55W60V60V15V17A30/800nS1000pF0.085 ОмDPAK
    Яндекс.Метрика