vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STD3N30LT4
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STD3N30LT4

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 300V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 100/210nS
    • Входная емкость (Сiss): 800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.400 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRC224 MOSFETN-Channel40W250V250V20V3.8A 960pF1.1 ОмTO-204
    IRC624 MOSFETN-Channel40W250V250V20V3.8A 920pF1.1 ОмTO-220
    STD3N25-1 MOSFETN-Channel45W250V250V20V3A25/65nS500pF2.000 ОмIPAK
    STD3N25T4 MOSFETN-Channel45W250V250V20V3A25/65nS500pF2.000 ОмDPAK
    STD3N30-1 MOSFETN-Channel50W300V300V20V3A30/40nS700pF1.400 ОмIPAK
    STD3N30L-1 MOSFETN-Channel50W300V300V20V3A100/210nS800pF1.400 ОмIPAK
    STD3N30T4 MOSFETN-Channel50W300V300V20V3A30/40nS700pF1.400 ОмDPAK
    Яндекс.Метрика