|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STD3N30LT4Основные параметры полевого транзистора STD3N30LT4 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 300V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 100/210nS
- Входная емкость (Сiss): 800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.400 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRC224 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 250V | 250V | 20V | 3.8A | | 960pF | 1.1 Ом | TO-204 | IRC624 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 250V | 250V | 20V | 3.8A | | 920pF | 1.1 Ом | TO-220 | STD3N25-1 |
MOSFET | N-Channel | 45W | 250V | 250V | 20V | 3A | 25/65nS | 500pF | 2.000 Ом | IPAK | STD3N25T4 |
MOSFET | N-Channel | 45W | 250V | 250V | 20V | 3A | 25/65nS | 500pF | 2.000 Ом | DPAK | STD3N30-1 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 300V | 300V | 20V | 3A | 30/40nS | 700pF | 1.400 Ом | IPAK | STD3N30L-1 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 300V | 300V | 20V | 3A | 100/210nS | 800pF | 1.400 Ом | IPAK | STD3N30T4 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 300V | 300V | 20V | 3A | 30/40nS | 700pF | 1.400 Ом | DPAK | |
|
|
|