vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STE26N50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STE26N50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 26A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 60/80
    • Входная емкость (Сiss): 6nF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.200 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOTOP
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXTH24N45MA MOSFETN-Channel300W450V450V20V24A 0.23 ОмTO-247
    IXTH24N45MB MOSFETN-Channel300W450V450V20V24A 0.23 ОмTO-247
    IXTH24N50MA MOSFETN-Channel300W500V500V20V24A 0.23 ОмTO-247
    IXTH24N50MB MOSFETN-Channel300W500V500V20V24A 0.23 ОмTO-247
    IXTH27N40MA MOSFETN-Channel300W400V400V20V27A 0.18 ОмTO-247
    IXTH27N40MB MOSFETN-Channel300W400V400V20V27A 0.18 ОмTO-247
    IXTZ24N50MA MOSFETN-Channel300W500V500V20V24A 0.23 ОмZ-PAK
    IXTZ24N50MB MOSFETN-Channel300W500V500V20V24A 0.23 ОмZ-PAK
    IXTZ27N40MA MOSFETN-Channel300W400V400V20V27A 0.18 ОмZ-PAK
    IXTZ27N40MB MOSFETN-Channel300W400V400V20V27A 0.18 ОмZ-PAK
    Яндекс.Метрика