|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STH12N60FIОсновные параметры полевого транзистора STH12N60FI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 70W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISO218
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6969 |
MOSFET | N-channel | 70W | 500V | | | 6A | 15/35nS | 1.6pF | 0.85 Ом | TO-213 | IRFN440 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 500V | | | 6.1A | 21/72nS | 1300pF | 0.95 Ом | TO220SM | IRFS452 |
MOSFET | N-Channel | 70W | 500V | | | 8.3A | | | | TO-3P | |
|
|
|