|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STH15N50FIОсновные параметры полевого транзистора STH15N50FI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 70W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 80/70
- Входная емкость (Сiss): 3000
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.400 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOWATT218
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFP350FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 400V | 400V | 20V | 10A | 35/115 | 2900 | 0.300 Ом | ISOWATT218 | IRFP450FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 500V | 500V | 20V | 9A | 35/75 | 3000 | 0.400 Ом | ISOWATT218 | STH14N50FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 500V | 500V | 20V | 9.6A | 80/70 | 3000 | 0.450 Ом | ISOWATT218 | |
|
|
|