|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STH15NA50Основные параметры полевого транзистора STH15NA50 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 34/50
- Входная емкость (Сiss): 3250
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.400 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-218
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSTH12NA60 |
MOSFET | N-Channel | 190W | 600V | 600V | 30V | 6.4A | 35/50 | 3250 | 0.600 Ом | TO-218 | STH9NA60 |
MOSFET | N-Channel | 160W | 600V | 500V | 30V | 5.1A | 30/45 | 2350 | 0.800 Ом | TO-218 | |
|
|
|