Справка

Основные параметры полевого транзистора STH4N80

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.3A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 90/200
  
• Входная емкость (Сiss): 1100
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3.000 Ом
  
• Производитель: STE
  
• Тип корпуса: TO-218
• Найти datasheet