Справка

Основные параметры полевого транзистора STH60N10

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.3A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 130/380
  
• Входная емкость (Сiss): 5000
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.025 Ом
  
• Производитель: STE
  
• Тип корпуса: TO-218
• Найти datasheet