Основные параметры полевого транзистора STH60N10FI

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 26A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 130/380
Входная емкость (Сiss): 5000
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.025 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: ISOWATT218
Найти datasheet