Основные параметры полевого транзистора STH65N06

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 60V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 100/750
Входная емкость (Сiss): 2900
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.020 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: TO-218
Найти datasheet