Основные параметры полевого транзистора STH6NA80FI

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.7A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 55/135
Входная емкость (Сiss): 1700
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.400 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: ISOWATT218
Найти datasheet